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BSC030N03MSGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC030N03MSGATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79X1330RL
Cinta adhesiva79X1330
También conocido comoBSC030N03MS G, SP000311506
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.740 | $1.74 |
| Total Precio | $1.74 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.740 |
| 10+ | $0.982 |
| 25+ | $0.886 |
| 50+ | $0.790 |
| 100+ | $0.694 |
| 250+ | $0.630 |
| 500+ | $0.564 |
| 1000+ | $0.472 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC030N03MSGATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79X1330RL
Cinta adhesiva79X1330
También conocido comoBSC030N03MS G, SP000311506
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0.0025ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.003
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd69W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia69
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSC030N03MS G es un Power-MOSFET OptiMOS™ 3 de la serie M optimizado para aplicaciones de controlador de 5V.
- FOMSW bajo para SMPS de alta frecuencia
- 100% prueba de avalancha
- RDS de muy baja resistencia a la conexión (ON) @ VGS = 4.5V
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Resistencia térmica superior
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0025ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Pd
69W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.003
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
69
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BSC030N03MSGATMA1
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto