Imprimir página
BSC016N06NSTATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
5,032 En Inventario
20,000 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.750 | $2.75 |
| Total Precio | $2.75 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.750 |
| 50+ | $1.670 |
| 100+ | $1.640 |
| 250+ | $1.600 |
| 500+ | $1.570 |
| 1000+ | $1.540 |
| 2500+ | $1.500 |
| 5000+ | $1.470 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5000+ | $1.780 |
| 10000+ | $1.740 |
| 15000+ | $1.710 |
| 25000+ | $1.670 |
| 50000+ | $1.640 |
| 125000+ | $1.600 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC016N06NSTATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4425
Re-reeling (Rollos a medida)93AC6983RL
Cinta adhesiva93AC6983
Rango de ProductoOptiMOS
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0014ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0016
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia Pd167W
Disipación de Potencia167W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia de Optima's™
- Optimizado para rectificación síncrona
- Probado avalancha 100%
- Resistencia térmica superior
- MOSFET de canal N
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Mayor confiabilidad de las juntas de soldadura debido a la interconexión de fuente ampliada
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0014ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
167W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0016
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Disipación de Potencia
167W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza BSC016N06NSTATMA1
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto