Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC011N03LSATMA1
No. Parte Newark47Y7992
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.590 |
| 10+ | $1.100 |
| 25+ | $1.010 |
| 50+ | $0.916 |
| 100+ | $0.822 |
| 250+ | $0.773 |
| 500+ | $0.722 |
| 1000+ | $0.682 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.59
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC011N03LSATMA1
No. Parte Newark47Y7992
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id230
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0011
Resistencia de Activación Rds(on)900µohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia Pd96W
Disipación de Potencia96
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- OptiMOS™ power-MOSFET
- Optimizado para convertidor reductor de alto rendimiento
- RDS de muy baja resistencia (encendido) a VGS = 4.5V
- Probado avalancha 100%
- Resistencia térmica superior
- MOSFET Canal-N
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0011
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
96W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
230
Resistencia de Activación Rds(on)
900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia
96
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSC011N03LSATMA1
8 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto