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BSC010NE2LSIATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 100 A, 0.00105 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC010NE2LSIATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)47Y7991RL
Cinta adhesiva47Y7991
También conocido comoBSC010NE2LSI, SP000854376
Su número de pieza
Disponible para pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.600 | $2.60 |
| Total Precio | $2.60 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.600 |
| 50+ | $1.360 |
| 100+ | $1.170 |
| 250+ | $1.060 |
| 500+ | $0.948 |
| 1000+ | $0.850 |
| 2500+ | $0.794 |
| 5000+ | $0.763 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC010NE2LSIATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)47Y7991RL
Cinta adhesiva47Y7991
También conocido comoBSC010NE2LSI, SP000854376
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00105
Resistencia de Activación Rds(on)900µohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd96W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia96
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSC010NE2LSI is a N-channel Power MOSFET features reduced power losses and increased efficiency for all load conditions. With the new OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solution applications.
- Optimized for high performance buck converter
- Monolithic integrated Schottky like diode
- Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free
- Reduces the number of phases in multiphase converters
- Green device
- Save space with smallest packages like CanPAK™
- Minimize EMI in the system making external snubber networks obsolete and products easy to design-in
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00105
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia Pd
96W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
96
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSC010NE2LSIATMA1
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto