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BSC010NE2LSIATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 100 A, 0.00105 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC010NE2LSIATMA1
No. Parte Newark47Y7991
También conocido comoBSC010NE2LSI, SP000854376
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 50+ | $0.795 |
| 100+ | $0.795 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC010NE2LSIATMA1
No. Parte Newark47Y7991
También conocido comoBSC010NE2LSI, SP000854376
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1050µohm
Resistencia de Activación Rds(on)900µohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd96W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia96
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza BSC010NE2LSIATMA1
6 productos encontrados
Resumen del producto
The BSC010NE2LSI is a N-channel Power MOSFET features reduced power losses and increased efficiency for all load conditions. With the new OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solution applications.
- Optimized for high performance buck converter
- Monolithic integrated Schottky like diode
- Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free
- Reduces the number of phases in multiphase converters
- Green device
- Save space with smallest packages like CanPAK™
- Minimize EMI in the system making external snubber networks obsolete and products easy to design-in
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1050µohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
96W
Disipación de Potencia
96
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto