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BFP650H6327XTSA1
Transistor RF - Bipolar, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBFP650H6327XTSA1
No. Parte Newark85X4135
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.723 |
| 10+ | $0.513 |
| 25+ | $0.457 |
| 50+ | $0.428 |
| 100+ | $0.398 |
| 250+ | $0.370 |
| 500+ | $0.352 |
| 1000+ | $0.338 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.225 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBFP650H6327XTSA1
No. Parte Newark85X4135
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo4.5V
Voltaje Máx. Colector a Emisor4.5V
Frecuencia de Transición42GHz
Disipación de Potencia500mW
Disipación de Potencia Pd500mW
Corriente de Colector DC150mA
Corriente del Colector Continua150mA
Ganancia de Corriente DC hFE100hFE
Diseño de TransistorSOT-343
Encapsulado de Transistor RFSOT-343
No. de Pines4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
High linearity wideband silicon NPN RF bipolar transistor. Suitable for applications like low noise, high linearity amplifiers in SDARS receivers, low noise, high linearity amplifiers for ISM band applications and low noise, high linearity amplifiers for multimedia applications such as CATV.
- Based on SiGe:C technology
- Suitable for energy efficiency designs at frequency as high as 5GHz
- Remains cost competitive without compromising on ease of use
- Minimum noise figure NFmin = 1dB at 2.4GHz, 3V, 30mA
- High gain Gma = 17.5dB at 2.4GHz, 3V, 70mA
- OIP3 = 30dBm at 2.4GHz, 3V, 70mA
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
4.5V
Disipación de Potencia
500mW
Corriente de Colector DC
150mA
Ganancia de Corriente DC hFE
100hFE
Encapsulado de Transistor RF
SOT-343
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
4.5V
Frecuencia de Transición
42GHz
Disipación de Potencia Pd
500mW
Corriente del Colector Continua
150mA
Diseño de Transistor
SOT-343
No. de Pines
4Pines
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BFP650H6327XTSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65