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BFP640H6327XTSA1
Transistor RF - Bipolar, NPN, 4.7 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBFP640H6327XTSA1
No. Parte Newark
Hilado completo98AK5385
Re-reeling (Rollos a medida)85X4134
Cinta adhesiva85X4134
También conocido comoBFP 640 H6327, SP000745306
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.515 |
| 10+ | $0.364 |
| 25+ | $0.324 |
| 50+ | $0.304 |
| 100+ | $0.282 |
| 250+ | $0.262 |
| 500+ | $0.249 |
| 1000+ | $0.239 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.224 |
| 6000+ | $0.220 |
| 12000+ | $0.217 |
| 18000+ | $0.214 |
| 30000+ | $0.210 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBFP640H6327XTSA1
No. Parte Newark
Hilado completo98AK5385
Re-reeling (Rollos a medida)85X4134
Cinta adhesiva85X4134
También conocido comoBFP 640 H6327, SP000745306
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo4.7V
Voltaje Máx. Colector a Emisor4.7
Frecuencia de Transición42
Disipación de Potencia200mW
Disipación de Potencia Pd200mW
Corriente del Colector Continua50mA
Corriente de Colector DC50mA
Diseño de TransistorSOT-343
Ganancia de Corriente DC hFE110hFE
No. de Pines4Pines
Encapsulado de Transistor RFSOT-343
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.110hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BFP 640 H6327 is a NPN low-noise Bipolar RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. With its high linearity at currents as low as 10mA this device supports energy efficient designs. The typical transition frequency is approximately 40GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 8GHz in amplifier applications. The device is housed in an easy to use plastic package with visible leads.
- Linear low-noise wide band transistor
- High linearity
- High transition frequency
- Low power consumption
- Easy to use
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
4.7
Disipación de Potencia
200mW
Corriente del Colector Continua
50mA
Diseño de Transistor
SOT-343
No. de Pines
4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
110hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
4.7V
Frecuencia de Transición
42
Disipación de Potencia Pd
200mW
Corriente de Colector DC
50mA
Ganancia de Corriente DC hFE
110hFE
Encapsulado de Transistor RF
SOT-343
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza BFP640H6327XTSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
