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AUIRF7769L2TR
MOSFET, AUTO, CANAL N, 100V, DIRECTFETL8
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7,918 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $11.150 | $11.15 |
| Total Precio | $11.15 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $11.150 |
| 50+ | $6.270 |
| 100+ | $6.010 |
| 250+ | $5.900 |
| 500+ | $5.790 |
| 1000+ | $5.680 |
| 2500+ | $5.570 |
| 5000+ | $5.450 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $6.740 |
| 8000+ | $6.610 |
| 12000+ | $6.470 |
| 20000+ | $6.340 |
| 40000+ | $6.200 |
| 100000+ | $6.070 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF7769L2TRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4265
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4165RL
Cinta adhesiva91Y4165
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id124A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0035
Resistencia de Activación Rds(on)0.0028ohm
Diseño de TransistorDirectFET L8
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Disipación de Potencia125W
Disipación de Potencia Pd125W
No. de Pines15Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia Directed® de grado automotriz
- Tecnología de proceso avanzada
- Optimizado para motores de automoción, CD-CD y otras aplicaciones de carga pesada
- Huella excepcionalmente pequeña y perfil bajo
- Alta densidad de potencia
- Parámetros parásitos bajos
- Refrigeración de doble cara
- Capacidad para soportar avalanchas repetitivas para mayor confiabilidad y robustez
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0035
Diseño de Transistor
DirectFET L8
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
No. de Pines
15Pines
Rango de Producto
HEXFET
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
124A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0028ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
Disipación de Potencia Pd
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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