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AUIRF7769L2TR
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 124 A, 0.0035 ohm, DirectFET L8, Montaje Superficial
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7,968 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $11.150 | $11.15 |
| Total Precio | $11.15 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $11.150 |
| 50+ | $6.270 |
| 100+ | $6.010 |
| 250+ | $5.900 |
| 500+ | $5.790 |
| 1000+ | $5.680 |
| 2500+ | $5.570 |
| 5000+ | $5.450 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $6.740 |
| 8000+ | $6.610 |
| 12000+ | $6.470 |
| 20000+ | $6.340 |
| 40000+ | $6.200 |
| 100000+ | $6.070 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF7769L2TRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4265
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4165RL
Cinta adhesiva91Y4165
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id124A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0028ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0035
Diseño de TransistorDirectFET L8
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Disipación de Potencia125W
Disipación de Potencia Pd125W
No. de Pines15Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia Directed® de grado automotriz
- Tecnología de proceso avanzada
- Optimizado para motores de automoción, CD-CD y otras aplicaciones de carga pesada
- Huella excepcionalmente pequeña y perfil bajo
- Alta densidad de potencia
- Parámetros parásitos bajos
- Refrigeración de doble cara
- Capacidad para soportar avalanchas repetitivas para mayor confiabilidad y robustez
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0028ohm
Diseño de Transistor
DirectFET L8
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
No. de Pines
15Pines
Rango de Producto
HEXFET
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
124A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0035
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
Disipación de Potencia Pd
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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