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AIMDQ75R016M2HXTMA1
SIC MOSFET, N-CH, 750V, 103A, HDSOP ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMDQ75R016M2HXTMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)46AM5158
Cinta adhesiva46AM5158
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $25.130 |
| 10+ | $17.970 |
| 25+ | $17.550 |
| 50+ | $17.210 |
| 100+ | $16.880 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMDQ75R016M2HXTMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)46AM5158
Cinta adhesiva46AM5158
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id103A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014ohm
Diseño de TransistorHDSOP
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia394W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
103A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014ohm
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750V
Diseño de Transistor
HDSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
394W
Rango de Producto
CoolSiC G2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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