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G3F18MT12FB4
MOSFET de carburo de silicio, Puente Completo, Canal N, 53 A, 1.2 kV, 0.024 ohm, Module
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FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3F18MT12FB4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark39AM8768
Rango de ProductoSiCPAK F Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $139.320 |
| 5+ | $132.780 |
| 10+ | $126.240 |
| 25+ | $119.700 |
| 96+ | $113.160 |
| 144+ | $110.900 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3F18MT12FB4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark39AM8768
Rango de ProductoSiCPAK F Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETPuente Completo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id53
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024
Diseño de TransistorModule
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3
Disipación de Potencia106
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoSiCPAK F Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Puente Completo
Intensidad Drenador Continua Id
53
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
106
Rango de Producto
SiCPAK F Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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