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GA05JT12-263
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 5 A, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteGA05JT12-263
No. Parte Newark08X5866
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteGA05JT12-263
No. Parte Newark08X5866
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id5
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)-
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
No. de Pines3Pines
Disipación de Potencia Pd58W
Disipación de Potencia58
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
No. de Pines
3Pines
Disipación de Potencia
58
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
5
Resistencia de Activación Rds(on)
-
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Disipación de Potencia Pd
58W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto