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G3R75MT12J
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 42 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R75MT12JCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante7 semanas
No. Parte Newark89AH0996
Rango de ProductoG3R Series
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 7 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 500+ | $9.380 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1000
Múltiple: 1000
$9,380.00
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Información del producto
FabricanteGENESIC
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Tiempo de entrega estándar del fabricante7 semanas
No. Parte Newark89AH0996
Rango de ProductoG3R Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id42
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075
Resistencia de Activación Rds(on)0.075ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Disipación de Potencia Pd224W
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.69
Disipación de Potencia224
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoG3R Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.075ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
224
Rango de Producto
G3R Series
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
42
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
224W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.69
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto