Imprimir página
G3R30MT12K
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 90 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R30MT12K
No. Parte Newark89AH0985
Rango de ProductoG3R Series
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 8 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 250+ | $18.730 |
Precio para:Cada
Mínimo: 600
Múltiple: 600
$11,238.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R30MT12K
No. Parte Newark89AH0985
Rango de ProductoG3R Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id90
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.03ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente30
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Disipación de Potencia Pd400W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.69
Disipación de Potencia400
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoG3R Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
G3R30MT12K is a 1200V, 30mohm, N-channel enhancement mode, silicon carbide MOSFET. Applications include solar inverters, motor drives, EV charging, high voltage DC-DC converters, switched mode power supplies, UPS, smart grid transmission and distribution, induction heating and welding.
- G3R™ (3rd generation) technology, low temperature coefficient of RDS(ON)
- Lower Q and smaller RG(INT), low device capacitances (COSS, CRSS)
- LoRing™ - electromagnetically optimized design, superior cost-performance index
- Robust body diode with low VF and low QRR, 100% avalanche (UIL) tested
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperatures
- Faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
- Reduced ringing, better power density and system efficiency
- Ease of paralleling without thermal runaway, superior robustness and system reliability
- Operating and storage temperature range from -55 to 175°C, TO-247-4 package
- Continuous forward current is 50A at Tc = 100°C, V = -5 / +15V
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
30
No. de Pines
4Pines
Disipación de Potencia Pd
400W
Disipación de Potencia
400
Rango de Producto
G3R Series
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
90
Resistencia de Activación Rds(on)
0.03ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.69
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto