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G3R160MT12D
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
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FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R160MT12DCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante7 semanas
No. Parte Newark89AH0976
Rango de ProductoG3R Series
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| Cantidad | Precio |
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R160MT12DCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante7 semanas
No. Parte Newark89AH0976
Rango de ProductoG3R Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id22
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.16
Resistencia de Activación Rds(on)0.16ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Disipación de Potencia Pd123W
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.69
Disipación de Potencia123
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoG3R Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.16ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
123
Rango de Producto
G3R Series
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
22
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.16
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
123W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.69
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (19-Jan-2021)
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