Imprimir página
G2R120MT33J
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 34 A, 3.3 kV, 0.156 ohm, TO-263 (D2PAK)
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG2R120MT33J
No. Parte Newark89AH0975
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 8 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 100+ | $94.150 |
Precio para:Cada
Mínimo: 150
Múltiple: 150
$14,122.50
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG2R120MT33J
No. Parte Newark89AH0975
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id34
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds3.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.156
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia366
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
34
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.156
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
3.3
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
366
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto