NV6511-RA

NV6511-RA es un CI de potencia. Es una versión SMD refrigerada por abajo y mejorada térmicamente de la familia de circuitos integrados de potencia GaNFast™, optimizada para sistemas de mayor potencia que utilizan tecnología GaNSafe™, lo que la convierte en la opción ideal para sistemas de energía de alta frecuencia, alta densidad de potencia y alta eficiencia en los segmentos de centros de datos, solares, industriales y automotrices. El CI de potencia GaNFast integra FET de GaN con controlador de compuerta para crear un bloque de construcción de etapa de potencia fácil de usar. La tecnología GaNSafe integra además características críticas de protección y rendimiento que permiten una confiabilidad y robustez sin precedentes. Las aplicaciones/topologías incluyen CA-CD, CD-CD, CCM o CrM TP-PFC, optimizadas para funcionamiento sincrónico de medio puente, puente completo, trifásico o reductor/elevador, CRPS de centros de datos, inversor/ESS solar, EV OBC y convertidor CD-CD, y variador de frecuencia de motor.

• Capacidad de conexión en paralelo de hasta 2 circuitos integrados de potencia
• Carga de recuperación inversa cero, ESD de 2kV en todos los pines
• Programabilidad de encendido y apagado dV/dt
• VDS: 650V continuo / 800V transitorio
• La corriente de fuga de drenaje-fuente es de 1.0µA típica a VDS = 650V, VDRIVE = 0V
• La resistencia de drenaje-fuente es de 70mohm típica en VDRIVE = 15V, IDS = 7A
• Calificaciones JEDEC e IPC-9701
• Inmunidad a dV/dt hasta 100V/ns
• Paquete SMD refrigerado por la parte inferior TOLL-4L
• Rango de temperatura de unión de -40 a +150 °C