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MMBFJ202
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -40 V, 4.5 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
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Disponible para pedido
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.103 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$309.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ202
No. Parte Newark38C7407
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-40V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-40
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero4.5
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula900µA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-4
Diseño de TransistorSOT-23
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalCanal N
No. de Pines3 Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-40V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
4.5
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-4
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-40
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
900µA
Diseño de Transistor
SOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.
150
No. de Pines
3 Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MMBFJ202
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
