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MMBF4416A
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -35 V, 15 mA, -6 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF4416A
No. Parte Newark58K1873
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF4416A
No. Parte Newark58K1873
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-35V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-35V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula5mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero15mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-6V
Diseño de TransistorSOT-23
Tipo de TransistorFET de RF
No. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-35V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
5mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-6V
Tipo de Transistor
FET de RF
Tipo de Canal
Canal N
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-35V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
15mA
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3 Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto