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HUF75639P3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 24 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 100+ | $2.110 |
| 500+ | $1.990 |
| 1000+ | $1.830 |
| 2500+ | $1.560 |
| 5000+ | $1.530 |
Precio para:Cada
Mínimo: 200
Múltiple: 50
$422.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHUF75639P3
No. Parte Newark58K1612
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id56
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025
Resistencia de Activación Rds(on)0.025ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd200W
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia200
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
The HUF75639P3 is a N-channel Power MOSFETs manufactured using the innovative UltraFET process. This advanced process technology achieves the lowest possible ON-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, relay drivers, low-voltage bus switches and power management in battery operated products.
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS Rating curve
- Temperature compensated PSPICE®/SABER™ electrical, SPICE & SABER thermal impedance simulation models
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
200W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
56
Resistencia de Activación Rds(on)
0.025ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
200
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza HUF75639P3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto