HGTG30N60A4D

El HGTG30N60A4D es un IGBT de canal N de 600V con diodo hiperrápido antiparalelo. Esta serie SMPS es un miembro de la familia IGBT de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS. El IGBT combina las mejores características de transistores MOSFET y bipolares. Este dispositivo tiene la alta impedancia de entrada de un MOSFET y la baja pérdida de conducción en estado de un transistor bipolar. Ofrece una menor pérdida de conducción y una menor pérdida de conmutación para diseñar sistemas de alta eficiencia y confiables. El proceso de fabricación optimizado da como resultado un mejor control y repetibilidad de la estructura del lado superior, lo que da como resultado especificaciones más estrictas y un mejor rendimiento de EMI. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

• Tiempo de caída 60ns en TJ = 125°C