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FQT5P10TF
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 1 A, 1.05 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQT5P10TF
No. Parte Newark
Hilado completo82C4377
Cinta adhesiva15R3447
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Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.81 |
| 25+ | $0.71 |
| 50+ | $0.58 |
| 100+ | $0.45 |
| 250+ | $0.41 |
| 500+ | $0.37 |
| 1000+ | $0.34 |
| 2500+ | $0.31 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.28 |
| 8000+ | $0.27 |
| 16000+ | $0.26 |
| 24000+ | $0.25 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQT5P10TF
No. Parte Newark
Hilado completo82C4377
Cinta adhesiva15R3447
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.05
Resistencia de Activación Rds(on)0.82ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2W
Diseño de TransistorSOT-223
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia2
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Alternativas para el número de pieza FQT5P10TF
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El FQT5P10TF es un MOSFET QFET® de canal P de -100 V producido con tecnología de banda plana y DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en el estado y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. El FQA46N15 es un MOSFET QFET® del canal N de 150 V producido con la tecnología de banda plana y DMOS de Fairchild Semiconductor.
- Carga baja de la puerta (típica 6.3nC)
- Bajo Cruce (18pF típico)
- Probado avalancha 100%
- Voltaje de compuerta a fuente de ±30V
- Resistencia térmica 62.5°C/W, unión a ambiente
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.05
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1
Resistencia de Activación Rds(on)
0.82ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto
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