Imprimir página
FQT1N80TF-WS
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQT1N80TF-WSCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark31Y1560
Su número de pieza
1,850 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.610 |
| 10+ | $1.010 |
| 100+ | $0.676 |
| 500+ | $0.530 |
| 1000+ | $0.483 |
| 2500+ | $0.444 |
| 10000+ | $0.435 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.61
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQT1N80TF-WSCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark31Y1560
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente15.5
Resistencia de Activación Rds(on)15.5ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2.1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia2.1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FQT1N80TF_WS es un MOSFET de potencia de modo de mejora QFET® de canal N producido utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Este dispositivo es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, corrección activa del factor de potencia (PFC) y balastos electrónicos para lámparas.
- Carga baja de la puerta (5.5nC)
- Bajo Cruce (2.7pF)
- Probado avalancha 100%
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
15.5
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia de Activación Rds(on)
15.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
2.1W
Disipación de Potencia
2.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto