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FQPF2N60C
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-220F, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQPF2N60C
No. Parte Newark91K9885
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQPF2N60C
No. Parte Newark91K9885
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id2
Resistencia de Activación Rds(on)4.7ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4.7
Diseño de TransistorTO-220F
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd23W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia23
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (17-Jan-2022)
Resumen del producto
El FQPF2N60C es un MOSFET de potencia de modo de mejora QFET® de canal N producido utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Este dispositivo es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, corrección activa del factor de potencia (PFC) y balastos electrónicos para lámparas.
- Carga baja de la puerta (8.5nC)
- Bajo Cruce (4.3pF)
- Probado avalancha 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4.7
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
23W
Disipación de Potencia
23
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (17-Jan-2022)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
4.7ohm
Diseño de Transistor
TO-220F
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (17-Jan-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto