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FQD2N80TM
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 1.8 A, 6.3 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD2N80TM
No. Parte Newark15R3446
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $0.57 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$1,435.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD2N80TM
No. Parte Newark15R3446
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id1.8
Resistencia de Activación Rds(on)4.9ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6.3
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia de Activación Rds(on)
4.9ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6.3
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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