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FDS6990AS
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 7.5 A, 0.017 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6990AS
No. Parte Newark15R3435
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6990AS
No. Parte Newark15R3435
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id7.5mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N7.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.017
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Resumen del producto
El FDS6990AS es un MOSFET de doble canal N diseñado para reemplazar un MOSFET dual y dos diodos Schottky en fuentes de alimentación síncronas de CD a CD. Este MOSFET de 30V está diseñado para maximizar la eficiencia de conversión de energía, proporcionando un RDS bajo (ENCENDIDO) y una carga de puerta baja. Cada MOSFET incluye diodos Schottky integrados que utilizan tecnología SyncFET monolítica. El rendimiento del transistor como interruptor del lado bajo en un rectificador síncrono es similar al rendimiento del FDS6990A en paralelo con un diodo Schottky.
- Baja carga de compuerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Corriente de drenaje continua 7.5A
- Corriente de drenaje pulsada 20A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
7.5mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
7.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.017
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto