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DIW065SIC049
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 60 A, 650 V, 0.049 ohm, TO-247
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDIW065SIC049
No. Parte Newark26AM0856
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $13.590 |
| 10+ | $12.920 |
| 25+ | $12.660 |
| 50+ | $11.730 |
| 100+ | $11.270 |
| 250+ | $10.290 |
| 500+ | $10.090 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDIW065SIC049
No. Parte Newark26AM0856
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.049
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia395
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.049
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
395
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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