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DID3A2N65
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 3.2 A, 2.6 ohm, TO-251 (IPAK), Montaje Superficial
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 9 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.521 |
| 10+ | $0.427 |
| 100+ | $0.307 |
| 500+ | $0.272 |
| 1000+ | $0.245 |
| 2500+ | $0.208 |
| 10000+ | $0.204 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.60
nota de línea
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDID3A2N65Copiar
No. Parte Newark26AM0850
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id3.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.6ohm
Diseño de TransistorTO-251 (IPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia54W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.2A
Diseño de Transistor
TO-251 (IPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
54W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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