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DID3A2N65
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 3.2 A, 2.6 ohm, TO-251 (IPAK), Montaje Superficial
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
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Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark26AM0850
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.810 |
| 10+ | $0.437 |
| 15+ | $0.421 |
| 25+ | $0.404 |
| 50+ | $0.388 |
| 125+ | $0.371 |
| 250+ | $0.364 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDID3A2N65Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark26AM0850
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id3.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.6
Diseño de TransistorTO-251 (IPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia54
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.2
Diseño de Transistor
TO-251 (IPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
54
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.6
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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