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DI170SIC850D7
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 7 A, 1.7 kV, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI170SIC850D7
No. Parte Newark73AM7091
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.630 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.63
nota de línea
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI170SIC850D7
No. Parte Newark73AM7091
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id7
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.85
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia62
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.85
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
62
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto