Imprimir página
ZXMS6005SGTA
MOSFET de Potencia, Modo Mejorado, Canal N, 60 V, 2 A, 0.2 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMS6005SGTA
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)55T7440
Cinta adhesiva55T7440
Su número de pieza
211 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.770 | $1.77 |
| Total Precio | $1.77 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.770 |
| 10+ | $1.180 |
| 25+ | $1.070 |
| 50+ | $0.965 |
| 100+ | $0.856 |
| 250+ | $0.787 |
| 500+ | $0.717 |
| 1000+ | $0.650 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMS6005SGTA
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)55T7440
Cinta adhesiva55T7440
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.15ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Disipación de Potencia Pd1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia1
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXMS6005SGTA es un MOSFET de modo de mejora autoprotegido de canal N INTELLIFET™ con entrada de nivel lógico. Integra funcionalidad de nivel lógico protegido contra sobretemperatura, sobrecorriente, sobretensión (pinza activa) y ESD. Es ideal como interruptor de uso general impulsado por microcontroladores de 3.3 o 5V en entornos hostiles donde los MOSFET estándar no son lo suficientemente resistentes.
- Paquete compacto de disipación de alta potencia
- Corriente de entrada baja
- Entrada de nivel lógico
- Protección contra cortocircuitos con reinicio automático
- Protección contra sobrevoltaje (abrazadera activa)
- Apagado térmico con reinicio automático
- Protección contra sobrecorriente
- Protección de entrada (ESD)
- Alta calificación de corriente continua
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.15ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1W
Disipación de Potencia
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto