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ZXMS6005DGQ-13
MOSFET, N-CH, 60V, 2A, SOT-223 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMS6005DGQ-13
No. Parte Newark29AK9199
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.525 |
| 10+ | $0.373 |
| 25+ | $0.346 |
| 50+ | $0.322 |
| 100+ | $0.298 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMS6005DGQ-13
No. Parte Newark29AK9199
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id2A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.69W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
Disipación de Potencia
1.69W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Alternativas para el número de pieza ZXMS6005DGQ-13
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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