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ZXMS6004N8-13
MOSFET, CANAL N, 60V, 1.3A, SOIC
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark29AK9196
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.999 |
| 10+ | $0.619 |
| 25+ | $0.547 |
| 50+ | $0.475 |
| 100+ | $0.403 |
| 250+ | $0.356 |
| 500+ | $0.309 |
| 1000+ | $0.279 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark29AK9196
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id1.3A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia1.65W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
1.65W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto