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ZXMP6A18K
MOSFET, P CHANNEL, 60V, -10.4A, DPAK
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMP6A18K
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6627
Re-reeling (Rollos a medida)13M3620
Cinta adhesiva13M3620
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.190 | $5.95 |
| Total Precio | $5.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.190 |
| 10+ | $0.989 |
| 25+ | $0.889 |
| 50+ | $0.805 |
| 100+ | $0.708 |
| 250+ | $0.637 |
| 500+ | $0.530 |
| 1000+ | $0.514 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.581 |
| 5000+ | $0.541 |
| 10000+ | $0.501 |
| 15000+ | $0.488 |
| 25000+ | $0.480 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMP6A18K
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6627
Re-reeling (Rollos a medida)13M3620
Cinta adhesiva13M3620
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id10.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.055ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.055ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd10.1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia4.3W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXMP6A18K es un MOSFET de modo de mejora de canal P de -60V que utiliza una estructura única y combina los beneficios de una baja resistencia con una velocidad de conmutación rápida. Esto hace que el MOSFET sea ideal para aplicaciones de alta eficiencia, bajo voltaje y administración de energía.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- Bajo umbral
- Accionamiento de puerta baja
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.055ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
10.4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.055ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
10.1W
Disipación de Potencia
4.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza ZXMP6A18K
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto