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ZXMP6A16DN8TA
MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 2.9A ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.930 |
| 10+ | $1.300 |
| 25+ | $1.170 |
| 50+ | $1.050 |
| 100+ | $0.926 |
| 250+ | $0.867 |
| 500+ | $0.808 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMP6A16DN8TA
No. Parte Newark29AK9189
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.9A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.085ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.15W
Disipación de Potencia de Canal P2.15W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.085ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.15W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.15W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto