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ZXMP3A17E6TA.
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 4 A, 70 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMP3A17E6TA.
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)38K9601
Cinta adhesiva38K9601
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.320 | $6.60 |
| Total Precio | $6.60 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.320 |
| 10+ | $0.880 |
| 25+ | $0.795 |
| 50+ | $0.711 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMP3A17E6TA.
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)38K9601
Cinta adhesiva38K9601
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Resistencia de Activación Rds(on)0.07ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800
Disipación de Potencia1.1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXMP3A17E6TA es un MOSFET de modo de mejora de canal P con caja de plástico moldeado y acabado de estaño mate soldable recocido sobre terminales de marco de plomo de cobre según el estándar MIL-STD-202. Este MOSFET de TRENCH de nueva generación de Zetex presenta una estructura única que combina los beneficios de una baja resistencia de encendido y una conmutación rápida, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Alta velocidad de conmutación
- Bajo umbral
- Accionamiento de puerta baja
- Producto verde, libre de halógenos
- Calificado según los estándares AEC-Q101 por su alta confiabilidad
- Caja de plástico moldeado con clasificación de llama UL94V-0
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.07ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1.1W
Disipación de Potencia
1.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza ZXMP3A17E6TA.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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