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ZXMN2F30FHQTA
MOSFET, CANAL N, 20V, 4.9A, SOT-23
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN2F30FHQTACopiar
No. Parte Newark29AK9166
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.762 |
| 10+ | $0.471 |
| 25+ | $0.414 |
| 50+ | $0.358 |
| 100+ | $0.302 |
| 250+ | $0.266 |
| 500+ | $0.229 |
| 1000+ | $0.206 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN2F30FHQTACopiar
No. Parte Newark29AK9166
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id4.9A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900mV
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia960mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
4.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900mV
Disipación de Potencia
960mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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