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ZXMN10A07F
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 640 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN10A07FCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)98K4128
Cinta adhesiva98K4128
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.631 | $3.16 |
| Total Precio | $3.16 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.631 |
| 10+ | $0.527 |
| 25+ | $0.472 |
| 50+ | $0.427 |
| 100+ | $0.375 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN10A07FCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)98K4128
Cinta adhesiva98K4128
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id640
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.7
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd625mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia625
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXMN10A07F es un MOSFET de modo de mejora de canal N de Zetex que utiliza una estructura única que combina los beneficios de una baja resistencia a la conexión con una velocidad de conmutación rápida. Esto los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia y bajo voltaje.
- Bajo umbral
- Accionamiento de puerta baja
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
625mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
640
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.7
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
625
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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