Imprimir página
ZXMC3F31DN8TA
MOSFET, DUAL, N/P-CH, 30V, 7.3A ROHS COMPLIANT: YES
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMC3F31DN8TA
No. Parte Newark29AK9147
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
450 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.240 |
| 10+ | $0.828 |
| 25+ | $0.747 |
| 50+ | $0.667 |
| 100+ | $0.586 |
| 250+ | $0.492 |
| 500+ | $0.406 |
| 1000+ | $0.394 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.24
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMC3F31DN8TA
No. Parte Newark29AK9147
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N7.3A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P7.3A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.024ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.045ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.1W
Disipación de Potencia de Canal P2.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
7.3A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.045ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.1W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
7.3A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.024ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto