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ZXM61P03F
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXM61P03F
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)98K4139
Cinta adhesiva98K4139
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Hoja de datos técnicos
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.55 |
| 10+ | $0.46 |
| 25+ | $0.41 |
| 50+ | $0.37 |
| 100+ | $0.33 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXM61P03F
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)98K4139
Cinta adhesiva98K4139
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id1.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35
Resistencia de Activación Rds(on)0.35ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd625mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia625
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXM61P03F es un MOSFET de modo de mejora de canal P de Zetex que utiliza una estructura única que combina los beneficios de una baja resistencia en estado activado con una velocidad de conmutación rápida. Esto los hace ideales para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia y bajo voltaje.
- Baja resistencia de encendido
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Alta velocidad de conmutación
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.1
Resistencia de Activación Rds(on)
0.35ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
625mW
Disipación de Potencia
625
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza ZXM61P03F
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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