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ZXM61P02F
P CHANNEL MOSFET, -20V, 900mA, SOT-23
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXM61P02F
No. Parte Newark78K5560
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.573 |
| 10+ | $0.480 |
| 25+ | $0.431 |
| 50+ | $0.391 |
| 100+ | $0.343 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXM61P02F
No. Parte Newark78K5560
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id900mA
Resistencia de Activación Rds(on)0.6ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.6ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd625mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700mV
Disipación de Potencia625mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXM61P02F es un MOSFET de modo de mejora de canal P con carcasa de plástico moldeado y terminales de acabado de estaño mate soldables según el estándar MIL-STD-202. Utiliza una estructura única que combina los beneficios de una baja resistencia al encendido con una velocidad de conmutación rápida, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Bajo umbral
- Accionamiento de puerta baja
- Producto verde, libre de halógenos
- Calificado según los estándares AEC-Q101 por su alta confiabilidad
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.6ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
900mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
625mW
Disipación de Potencia
625mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza ZXM61P02F
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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WARNINGProposition 65