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DMTH8028LPSWQ-13
MOSFET, N-CH, 80V, POWERDI 5060 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMTH8028LPSWQ-13
No. Parte Newark36AJ8887
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.040 |
| 10+ | $0.730 |
| 25+ | $0.663 |
| 50+ | $0.597 |
| 100+ | $0.530 |
| 250+ | $0.488 |
| 500+ | $0.445 |
| 1000+ | $0.414 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMTH8028LPSWQ-13
No. Parte Newark36AJ8887
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id-
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerDI 5060
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia3.9W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018ohm
Diseño de Transistor
PowerDI 5060
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.9W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
-
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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