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DMTH4002SCTB-13
MOSFET, CANAL N, 40V, 192A, TO-263AB
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark13AJ5646
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.530 |
| 10+ | $1.550 |
| 25+ | $1.380 |
| 50+ | $1.220 |
| 100+ | $1.050 |
| 250+ | $1.000 |
| 500+ | $0.954 |
| 1600+ | $0.847 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMTH4002SCTB-13Copiar
No. Parte Newark13AJ5646
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id192A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2220µohm
Diseño de TransistorTO-263AB (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia166.7W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263AB (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
192A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2220µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
166.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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