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DMT6007LFG-7
MOSFET, N-CH, 60V, 80A, POWERDI 3333 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark86AK4851
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 43 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2000+ | $0.645 |
| 4000+ | $0.621 |
| 8000+ | $0.598 |
| 12000+ | $0.572 |
| 20000+ | $0.570 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2000
Múltiple: 2000
$1,290.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT6007LFG-7Copiar
No. Parte Newark86AK4851
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id80A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6000µohm
Diseño de TransistorPowerDI 3333
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia2.2W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
80A
Diseño de Transistor
PowerDI 3333
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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