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DMP6023LE-13
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP6023LE-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4837
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3816RL
Cinta adhesiva07AH3816
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.500 | $7.50 |
| Total Precio | $7.50 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.500 |
| 10+ | $0.981 |
| 15+ | $0.912 |
| 25+ | $0.842 |
| 50+ | $0.755 |
| 125+ | $0.682 |
| 250+ | $0.668 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.460 |
| 5000+ | $0.439 |
| 7500+ | $0.418 |
| 12500+ | $0.410 |
| 25000+ | $0.401 |
| 62500+ | $0.393 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP6023LE-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4837
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3816RL
Cinta adhesiva07AH3816
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id18.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia17.3W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
DMP6023LE-13 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters.
- Low on-resistance, fast switching speed, low threshold
- Low gate drive, low input capacitance
- Drain-source voltage is -60V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -7A at TA = +25°C, VGS = -10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -50A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 2W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 28mohm max at VGS = -10V, ID = -5A, TA = +25°C
- SOT223 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
17.3W
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
18.2A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto