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DMP3020LSS-13
MOSFET, CANAL P, 30V, 12A, SOIC
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark28AK8741
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.210 |
| 10+ | $0.755 |
| 25+ | $0.668 |
| 50+ | $0.583 |
| 100+ | $0.496 |
| 250+ | $0.441 |
| 500+ | $0.385 |
| 1000+ | $0.349 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.21
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark28AK8741
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0116ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia2.5W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.5W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0116ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto