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DMP2035U
MOSFET de Potencia, Modo Mejorado, Canal P, 20 V, 3.6 A, 35 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2035U
No. Parte Newark65T8230
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.544 |
| 10+ | $0.424 |
| 25+ | $0.298 |
| 50+ | $0.251 |
| 100+ | $0.215 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP2035U
No. Parte Newark65T8230
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id3.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente35
Resistencia de Activación Rds(on)0.023ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd810mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700
Disipación de Potencia810
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El DMP2035U de Diode Inc es un MOSFET de modo de mejora de canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. Este dispositivo presenta baja resistencia, baja capacitancia de entrada, velocidad de conmutación rápida y baja fuga de entrada/salida, por lo que es ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Calificación de grado automotriz AEC-Q101
- Reconocido por UL
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -20V
- Voltaje de compuerta a fuente (Vgs) de ± 8V
- Corriente de drenaje continua (Id) -3.6A a 25°C
- Disipación de potencia (Pd) de 810mW
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C
- Baja resistencia encendido de 41mohm a Vgs -1.8V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.023ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
810mW
Disipación de Potencia
810
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
35
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Alternativas para el número de pieza DMP2035U
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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