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DMP1555UFA-7B
MOSFET, P-CH, 12V, 0.2A, X2-DFN0806 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP1555UFA-7B
No. Parte Newark28AK8681
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.359 |
| 10+ | $0.224 |
| 25+ | $0.198 |
| 50+ | $0.173 |
| 100+ | $0.147 |
| 250+ | $0.131 |
| 500+ | $0.114 |
| 1000+ | $0.103 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP1555UFA-7B
No. Parte Newark28AK8681
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id200mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.4ohm
Diseño de TransistorX2-DFN0806
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia360mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
X2-DFN0806
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
360mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
200mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.4ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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