Imprimir página
DMP1022UFDEQ-7
MOSFET, P-CH, 12V, 9.1A, U-DFN2020 ROHS COMPLIANT: YES
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP1022UFDEQ-7
No. Parte Newark28AK8675
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
2,725 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.070 |
| 10+ | $0.791 |
| 25+ | $0.716 |
| 50+ | $0.641 |
| 100+ | $0.566 |
| 250+ | $0.517 |
| 500+ | $0.468 |
| 1000+ | $0.442 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.07
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP1022UFDEQ-7
No. Parte Newark28AK8675
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id9.1A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012ohm
Diseño de TransistorU-DFN2020
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800mV
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia660mW
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
U-DFN2020
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
9.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800mV
Disipación de Potencia
660mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto