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DMN62D0U-13
MOSFET, N-CH, 60V, 0.38A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark86AK4789
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 42 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 10000+ | $0.046 |
| 20000+ | $0.044 |
| 40000+ | $0.041 |
| 60000+ | $0.039 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 10000
Múltiple: 10000
$460.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark86AK4789
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id380mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia380mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
380mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
380mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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